Daftar Isi:
Definisi - Apa yang dimaksud dengan Memori Flash?
Memori flash adalah chip memori non-volatile yang digunakan untuk penyimpanan dan untuk mentransfer data antara komputer pribadi (PC) dan perangkat digital. Ini memiliki kemampuan untuk diprogram ulang secara elektronik dan dihapus. Ini sering ditemukan di USB flash drive, MP3 player, kamera digital dan solid-state drive.
Memori flash adalah jenis memori hanya baca yang dapat diprogram yang dapat dihapus secara elektronik (EEPROM), tetapi juga dapat menjadi perangkat penyimpanan memori mandiri seperti drive USB. EEPROM adalah jenis perangkat memori data yang menggunakan perangkat elektronik untuk menghapus atau menulis data digital. Memori flash adalah tipe EEPROM yang berbeda, yang diprogram dan dihapus dalam blok besar.
Memori flash menggabungkan penggunaan transistor gerbang mengambang untuk menyimpan data. Transistor floating-gate, atau floating gate MOSFET (FGMOS), mirip dengan MOSFET, yang merupakan transistor yang digunakan untuk memperkuat atau mengganti sinyal elektronik. Transistor gerbang-mengambang terisolasi secara elektrik dan menggunakan simpul mengambang dalam arus searah (DC). Memori flash mirip dengan MOFSET standar, kecuali transistor memiliki dua gerbang, bukan satu.
Techopedia menjelaskan Memori Flash
Memori flash pertama kali diperkenalkan pada 1980 dan dikembangkan oleh Dr. Fujio Masuoka, seorang penemu dan manajer pabrik tingkat menengah di Toshiba Corporation (TOSBF). Memori flash dinamai berdasarkan kemampuannya untuk menghapus blok data "" dalam sekejap. "Tujuan Dr. Masuoka adalah membuat chip memori yang menyimpan data ketika daya dimatikan. Dr. Masuoka juga menemukan jenis memori yang dikenal sebagai SAMOS dan mengembangkan DRAM (dynamic random access memory) 1 MB, pada tahun 1988, Intel Corporation memproduksi chip flash komersial tipe NOR pertama, yang menggantikan chip memori baca-saja (ROM) permanen pada motherboard PC yang berisi operasi input / output dasar. sistem (BIOS).
Chip memori flash terdiri dari gerbang NOR atau NAND. NOR adalah jenis sel memori yang dibuat oleh Intel pada tahun 1988. Antarmuka gerbang NOR mendukung alamat lengkap, bus data, dan akses acak ke lokasi memori mana pun. Umur simpan NOR flash adalah 10.000 hingga 1.000.000 siklus tulis / hapus.
NAND dikembangkan oleh Toshiba setahun setelah NOR diproduksi. Lebih cepat, memiliki biaya per bit yang lebih rendah, membutuhkan area chip yang lebih sedikit per sel dan telah menambah ketahanan. Kehidupan rak gerbang NAND adalah sekitar 100.000 siklus tulis / hapus. Dalam NOR gate flash, setiap sel memiliki ujung yang terhubung ke garis bit dan ujung lainnya terhubung ke ground. Jika sebuah baris kata "tinggi" maka transistor melanjutkan untuk menurunkan garis bit output.
Memori flash memiliki banyak fitur. Ini jauh lebih murah daripada EEPROM dan tidak memerlukan baterai untuk penyimpanan solid-state seperti static RAM (SRAM). Ini non-volatile, memiliki waktu akses yang sangat cepat dan memiliki ketahanan yang lebih tinggi terhadap syok kinetik dibandingkan dengan hard disk drive. Memori flash sangat tahan lama dan dapat menahan tekanan hebat atau suhu ekstrem. Ini dapat digunakan untuk beragam aplikasi seperti kamera digital, ponsel, komputer laptop, PDA (asisten digital pribadi), pemutar audio digital dan solid-state drive (SSD).
