Daftar Isi:
- Definisi - Apa yang dimaksud dengan Memori Akses Acak Resistif (ReRAM)?
- Techopedia menjelaskan Memori Akses Acak Resistif (ReRAM)
Definisi - Apa yang dimaksud dengan Memori Akses Acak Resistif (ReRAM)?
Memori Akses Acak Resistif (RRAM / ReRAM) adalah jenis memori baru yang dirancang agar tidak mudah menguap. Ini sedang dikembangkan oleh sejumlah perusahaan, dan beberapa sudah mematenkan versi teknologi mereka sendiri. Memori beroperasi dengan mengubah resistansi bahan dielektrik khusus yang disebut memresistor (resistor memori) yang resistanasinya bervariasi tergantung pada voltase yang diberikan.
Techopedia menjelaskan Memori Akses Acak Resistif (ReRAM)
RRAM adalah hasil dari jenis baru bahan dielektrik yang tidak rusak secara permanen dan gagal ketika kerusakan dielektrik terjadi; untuk memresistor, kerusakan dielektrik bersifat sementara dan dapat dibalik. Ketika tegangan secara sengaja diterapkan pada memresistor, jalur konduktif mikroskopis yang disebut filamen dibuat dalam material. Filamen disebabkan oleh fenomena seperti migrasi logam atau bahkan cacat fisik. Filamen dapat rusak dan terbalik dengan menerapkan tegangan eksternal yang berbeda. Ini adalah penciptaan dan penghancuran filamen dalam jumlah besar yang memungkinkan untuk penyimpanan data digital. Bahan yang memiliki karakteristik memresistor termasuk oksida titanium dan nikel, beberapa elektrolit, bahan semikonduktor, dan bahkan beberapa senyawa organik telah diuji memiliki karakteristik ini.
Keuntungan utama RRAM dibandingkan teknologi non-volatil lainnya adalah kecepatan switching yang tinggi. Karena ketipisan memresistor, ia memiliki potensi besar untuk kepadatan penyimpanan yang tinggi, kecepatan membaca dan menulis yang lebih besar, penggunaan daya yang lebih rendah, dan biaya yang lebih murah daripada memori flash. Memori flash tidak dapat terus menskala karena keterbatasan bahan, sehingga RRAM akan segera mengganti memori flash.
